Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics официально объявил о начале поставок первых инженерных образцов своей новейшей высокоскоростной памяти следующего поколения HBM4E. Благодаря этому стратегическому шагу компании удалось временно опередить ключевых игроков индустрии в жесткой гонке за доминирование в сегменте передовых компонентов для искусственного интеллекта и современных дата-центров. На фоне столь позитивного технологического анонса акции корпорации на пятничных торгах отреагировали стремительным ростом, подскочив сразу более чем на 5,8%.

По официальным данным производителя, новая 12-слойная архитектура микросхем HBM4E позволила добиться внушительного прироста производительности, сделав их более чем на 20% быстрее моделей предыдущей серии HBM4. Подобный технологический рывок имеет критически важное значение для Samsung, которая в последнее время отчаянно пытается вернуть себе лидерство и отвоевать упущенную долю рынка. До этого момента главные конкуренты компании в лице SK Hynix и Micron Technology действовали более успешно, прочно закрепившись в цепочке поставок дефицитных комплектующих для лидера ИИ-индустрии, американской корпорации Nvidia. Теперь же вывод на рынок опытных образцов столь продвинутой памяти дает Samsung реальный шанс кардинально изменить баланс сил в индустрии полупроводников, предложив создателям суперкомпьютеров беспрецедентную пропускную способность для обработки колоссальных массивов данных.