英特尔公布AI芯片的EMIB-T开发计划

英特尔计划扩大EMIB-T芯片封装技术在大型人工智能加速器中的应用。在11月4日于釜山举行的ISMP 2026会议上，英特尔代工厂的封装总监Kyu O Lee提出了指导方针，建议在单个模块中放置超过32个高速HBM内存块和超过70个硅桥。公司将EMIB-T视为台湾TSMC CoWoS-L技术的替代方案。

EMIB基于嵌入有机基板中的小型硅桥来连接单个芯片。EMIB-T版本增加了垂直TSV电气连接，允许通过桥供电。这种方法减少了对大型硅中介层的需求，并可能降低材料消耗。

根据英特尔的说法，EMIB桥生产中硅晶圆面积使用的效率超过90%，而大中介层设计的这一数字约为60%。这是一种材料消耗的评估，而不是通过生产控制的成品比例。

在2026-2027年的开发中，英特尔专注于至少120 × 180毫米的模块，包含16个HBM块和38个桥。一个更远的项目设想尺寸为240 × 240毫米，超过32个内存块和70个桥。这些参数表明的是计划，而不是已经发布的系列产品。

生产限制与TSMC的竞争

对替代技术的兴趣与TSMC的CoWoS封装的高产能利用率有关。然而，该公司也在扩大生产：预计CoWoS-L至少在2028年前仍将是AI芯片的常见解决方案。

行业估计表明，使用EMIB的可用产品产量约为90%，而CoWoS的报告值约为98%。这些数字涉及不同的技术过程，不能直接比较EMIB-T和CoWoS-L的可靠性。对英特尔来说，另一个限制仍然是有机基板的质量和可用性。

谷歌、亚马逊和联发科被认为是此类解决方案的潜在用户，但尚未公开确认EMIB-T的最终生产协议。英特尔在2025年引入了该技术，并计划扩大其应用，但实际竞争力将取决于成本、产量和可用产能。